动态随机存取存储器 (DRAM)

动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种用于计算设备（主要是 PC）的随机存取存储器。DRAM 将每一位数据存储在位于集成电路板内部的独立无源电子元件中。每个电子元件在一个位中有两个值状态，称为 0 和 1。这个吸引器需要经常刷新，否则信息会消失。与需要 6 个晶体管的静态随机存取存储器 (SRAM) 相比，DRAM 的每位具有一个电容器和一个晶体管。使用的电容器和晶体管特别小。单个存储芯片上有数百万个电容器和晶体管。

DRAM是动态内存，SRAM是静态内存。电路板上的 DRAM 芯片需要每隔几毫秒刷新一次。这是通过将数据重写到模块来完成的。需要刷新的芯片是易失性存储器。DRAM 直接访问内存，在短时间内保留内存并在断电时丢失数据。SRAM 是静态的、不需要刷新的易失性存储器。因为 SRAM 的速度要快得多，所以它被用在寄存器和高速缓存中。SRAM 保存数据并以比 DRAM 更高的速度运行。尽管 SRAM 速度更快，但 DRAM 更常用于主板上，因为它的制造成本要低得多。

包含内存芯片的三种主要类型的电路板是双列直插内存模块 (DIMM)、单列直插内存模块 (SIMM) 和 Rambus 直列内存模块 (RIMM)。今天，大多数主板都使用 DIMM。DRAM 的模块刷新率是每几毫秒（1/1000 秒）。这种刷新是由位于主板芯片组上的内存控制器完成的。由于刷新逻辑用于自动刷新，因此DRAM电路板相当复杂。有不同的系统用于刷新，但所有方法都需要一个计数器来跟踪下一个需要刷新的行。DRAM 单元被组织在一个方形的电容器集合中，通常是 1024 x 1024 个单元。当一个单元处于“读取”状态时，整行被读出并写回刷新。当处于“写入”状态时，整行被“读取”，一个值被改变，然后整行被重写。根据系统的不同，有些 DRAM 芯片包含计数器，而其他系统则依赖于包含计数器的外围刷新逻辑。DRAM 的存取时间约为 60 纳秒，而 SRAM 可低至 10 纳秒。同样，DRAM 的循环时间比 SRAM 长很多。SRAM 的循环时间更短，因为它不需要在访问和刷新之间停止。DRAM 的循环时间比 SRAM 长很多。SRAM 的循环时间更短，因为它不需要在访问和刷新之间停止。DRAM 的循环时间比 SRAM 长很多。SRAM 的循环时间更短，因为它不需要在访问和刷新之间停止。